Séléniure de cuivre, d'indium et de gallium
Pour les articles homonymes, voir CIGS.
CIGS (semiconducteur) | |
__ Cu+ __ Se2- __ In3+ ou Ga3+ | |
Propriétés chimiques | |
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Formule | CuInxGa1-xSe2 |
Propriétés physiques | |
T° fusion | 990 à 1 070 °C (x = 1 à 0) |
Masse volumique | ≈ 5,7 g·cm-3 |
Propriétés électroniques | |
Bande interdite | 1,7 eV (x = 0) à 1,0 eV (x = 1) |
Cristallographie | |
Système cristallin | Tétragonal |
Réseau de Bravais | Centré I |
Classe cristalline ou groupe d’espace | (no 122) tétragonal Hermann-Mauguin : |
Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire. | |
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Le séléniure de cuivre, d'indium et de gallium, souvent abrégé CIGS, de l'anglais copper indium gallium selenide, est un composé chimique de formule générique CuInxGa1−xSe2. C'est un semi-conducteur à gap direct constitué de cuivre, d'indium, de gallium et de sélénium. Il s'agit d'une solution solide de CIS CuInSe2 (copper indium selenide, x = 1) et de CGS CuGaSe2 (copper gallium selenide, x = 0). Sa structure cristalline est semblable à celle de la chalcopyrite, dans le groupe d'espace I42d (no 122), avec une largeur de bande interdite variant de manière continue de 1,02 eV pour le CIS à 1,7 eV pour le CGS[1].
Ce matériau est utilisé essentiellement pour réaliser des cellules photovoltaïques à couches minces. Il présente l'avantage de pouvoir être déposé sur des surfaces flexibles afin de réaliser des panneaux solaires souples et légers.
Notes et références
Articles connexes
v · m | |
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Séléniures Se(-II) | |
Se(0,I) |
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Se(I) |
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Se(II) |
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Se(IV) |
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Se(VI) |
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v · m | |||
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Ga(II) |
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Ga(III) |
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